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深圳市海富利電子有限公司
描述
  • Treach MOSFETs
    Trench MOSFET提供低導(dǎo)通、快速、ESD保護(hù)、Rg集成等全系列完整產(chǎn)品線。通過優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、先進(jìn)的制造工藝和可靠的封裝,實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化以及優(yōu)秀的FOM(品質(zhì)因子(Qg*Rdson))值,保證了行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。
  • Planer MOSFETs
    高壓MOSFET產(chǎn)品,具有強(qiáng)短路、耐沖擊的特點(diǎn),還可以提供低導(dǎo)通Ron,集成ESD結(jié)構(gòu)防靜電等產(chǎn)品,以滿足客戶的各種需求。
  • SJ MOSFETs
    SJ MOSFET器件提供低導(dǎo)通、快速、ESD保護(hù)、Rg集成等全系列完整產(chǎn)品線。通過優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、先進(jìn)的制造工藝和可靠的封裝,實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化以及優(yōu)秀的FOM(品質(zhì)因子(Qg*Rdson))值,Multi-epi技術(shù)賦予器件優(yōu)良的魯棒特性,使器件的使用及電路的設(shè)計(jì)難度大大降低
  • SGT MOSFETs
    SGT MOSFET器件提供低導(dǎo)通、快速、ESD保護(hù)、Rg集成等全系列完整產(chǎn)品線。通過優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、先進(jìn)的制造工藝和可靠的封裝,實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化以及優(yōu)秀的FOM(品質(zhì)因子(Qg*Rdson))值,使應(yīng)用領(lǐng)域范圍大大提高。
  • IGBT
    IGBT產(chǎn)品, 基于溝槽場(chǎng)截止型(Trench Field Stop)技術(shù)的高效系列,結(jié)合了超薄片工藝制程(Ultra Thin Wafer Process)以及局部壽命控制等技術(shù),顯著改善了動(dòng)靜態(tài)性能折中,大幅提高了器件的功率密度,使器件可耐工作溫度更高,轉(zhuǎn)換效率更大,使用壽命更長(zhǎng)。
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